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国研院 发表12吋丛集式ALD

admin 财经 2020-09-11 37 0

国研院仪科中心与国内半导体设备供应商天虹科技,以「原子层沉积技术」为关键技术,打造「12吋丛集式ALD设备」,突破高阶半导体设备自制瓶颈,摆脱制程技术受国外设备商箝制困境,成功取得国际大厂多台设备正式订单。

仪科中心指出,自2004年起深耕发展ALD技术,因应不同制程需求开发各式ALD设备与制程验证技术,累积完整机台建置经验,2015年与台积电及产学界共同推动成立「原子层沉积联合实验室」,提供半导体制造业ALD制程设备测试与开发验证的服务平台,是国内唯一具备客制化ALD设备及制程能力之研究单位。

仪科中心亦发挥带领国内ALD先进研究群聚效应,至2020年已客制开发20多台各式ALD设备,其应用领域涵盖太阳能光电、半导体、触媒和光学薄膜等领域。

天虹科技自2002年成立以来,专精于与半导体厂商合作开发关键半导体零组件,并可客制化地针对进口设备进行改装及性能提升,是国内本土自制率达70%以上的半导体溅镀设备供应商。

仪科中心与天虹科技于2018年起合作,整合双方技术共同开发市场行情新台币一亿元的12吋量产型丛集式ALD设备,并于2019年完成设备开发及12吋氧化铝薄膜制程验证,10奈米厚度的氧化铝薄膜均匀性大于99%。

相较市面量产型ALD设备,天虹科技机台拥有降低前驱物消耗量设计与相对高产出速度,并可依客户端制程与产能需求加挂反应室,具备高度可扩充性;而氧化铝薄膜制程也率先应用于Mini-LED及 Micro-LED上作为钝化保护层。天虹科技执行长林俊成表示,所发展的制程,改善了LED发光效率与使用寿命,效果显著并获得验证。

陆布局SiC、GaN 朋亿蓄势待发

朋亿总经理马蔚。图/苏嘉维 半导体暨面板制程供应系统大厂朋亿8月合并营收达3.58亿元,缴出月成长逾四成的好表现。展望未来,朋亿将抢攻中国大力布局碳化矽、氮化镓商机,提前替2021年营运动能注入一股强心针。 朋亿8月营收月成长45.4%,相较2019年同期成长4.3%,前八月合并营收年减6.7%至26.86亿元,创历史同期次低,主要受到疫情影响。 对于未来展望,朋亿由于在中国中国布局已久,中国大型半导体厂皆是朋亿客户,目前中国十三五计画当中,已经将SiC、GaN等新一代半导体技术纳入未来投资重点项目,因此将有望带来大笔商机。朋亿总经理马蔚表示,目前虽然尚未接到SiC、GaN等厂商相关订单,不过已经开始与客户接洽,将有望在2021年开始浮现效益,替公司带来新一股营运动能。 此外,美国计

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